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RB411D_R1_00001

更新时间： 2024-12-02 01:12:59

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强茂 - PANJIT		光电二极管
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Schottky Barrier Diode

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RB411D_R1_00001 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.2
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	40 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

RB411D_R1_00001 数据手册

RB411D

Schottky Barrier Diode

VOLTAGE

40Volt

CURRENT

500mA

Unit：inch(mm)

SOT-23

FEATURES

ϥʳ High Reliability

ϥ Low Reverse Current

0.120(3.04)

0.110(2.80)

ϥ Ultra High-speed Switching

ϥ Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive

ϥ Green molding compound as per IEC61249 Std. .

0.056(1.40)

0.047(1.20)

(Halogen Free)

0.008(0.20)

0.003(0.08)

0.079(2.00)

0.070(1.80)

MECHANICAL DATA

ϥ Case : SOT-23, Plastic

ϥ Terminals :

Solder plated,solderable per MIL-STD-750,

0.004(0.10)

0.000(0.00)

0.044(1.10)

0.035(0.90)

Method2026

0.020(0.50)

0.013(0.35)

ϥ Approx. Weight :

ϥ Marking : 11D

0.0003 ounces, 0.0084 grams

ABSOLUTE RATINGS (T_A=25 )

Parameter

Reverse Voltage

Symbol

V_RM

I_O

Value

Units

500

Average Rectified Forward Current

Forward Current Surge Peak (t=8.3ms)

Junction Temperature

I_FSM

T_J

125

T_STG

Storage Temperature

-40 to +125

May 3,2016REV.02

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