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RB160A90

更新时间: 2024-01-18 10:12:38
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罗姆 - ROHM 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
4页 115K
描述
Schottky barrier diode

RB160A90 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-XALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.83外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.73 V
JESD-30 代码:O-XALF-W2JESD-609代码:e1
最大非重复峰值正向电流:50 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:90 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

RB160A90 数据手册

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RB160A90  
Diodes  
Schottky barrier diode  
RB160A90  
zApplications  
z Dimensions (Unit : mm)  
General rectification  
CATHODEꢀBAND  
φ0.6±0.1  
29±1  
zFeatures  
1) Cylindrical mold type. (MSR)  
2) High I surge capability.  
3) Low IR.  
3.0±0.2  
29±1  
φ2.5±0.2  
ROHM : MSR  
4) High ESD.  
Manufacture Date  
zConstruction  
Silicon epitaxial planar  
z Taping specifications (Unit : mm)  
BROWN  
A
Standard dimension  
value(mm)  
H2  
Symbol  
BLUE  
E
T-31 ꢀ 52.4±1.5  
+0.4  
T-32  
26.0  
0
B
T-31 ꢀ 5.0±0.5  
B
T-31  
T-31  
T-32  
T-31  
T-32  
T-31  
T-32  
T-31  
T-32  
T-31  
T-32  
T-31  
T-32  
T-31  
T-32  
5.0±0.3  
C
D
1.0 max.  
C
0
1/2A±1.2  
1/2A±0.4  
±0.7  
E
0.2 max.  
H1  
6.0±0.5  
5.0±0.5  
L2  
L1  
H2  
F
D
1.5 max.  
0.4 max.  
H1  
|L1-L2|  
*H1(6mm):BROWN  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Limits  
90  
90  
Symbol  
VRM  
VR  
Unit  
V
V
Reverse voltage (repetitive peak)  
Reverse voltage (DC)  
Average rectified forward current (*1)  
Forward current surge peak t=100µs)  
Junction temperature  
1
50  
Io  
IFSM  
A
A
150  
-55 to +150  
Tj  
Storage temperature  
Tstg  
(*1) Mounted on epoxy board. 180°Half sine wave  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Conditions  
Symbol  
VF  
Min.  
0.54  
-
Typ.  
0.64  
5.00  
-
Max.  
Unit  
Forward voltage  
0.73  
100  
-
V
IF=1.0A  
VR=90V  
C=100pF,R=1.5kforward and reverse : 1 time  
IR  
Reverse current  
µA  
kV  
ESD break down voltage  
5
ESD  
Rev.D  
1/3  

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