RB160A60

更新时间： 2024-11-02 03:37:55

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罗姆 - ROHM		整流二极管肖特基二极管
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描述
Schottky barrier diode

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RB160A60 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-XALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-XALF-W2	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	60 V
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

RB160A60 数据手册

RB160A60

Diodes

Schottky barrier diode

RB160A60

zApplications

zExternal dimensions (Unit : mm)

General rectification

φ0.4±0.1

zFeatures

1) Cylindrical mold type. (MSR)

2) High I surge capability.

3) Low V^F.

2.7±0.3

T-31 29±1

φ1.8±0.2

4) High ESD.

ROHM : MSR

①

②

Manufacture Date

zConstruction

zTaping specifications (Unit : mm)

Silicon epitaxial planar

BROWN

Symbol

Standard dimension

value(mm)

BLUE

T-31 ꢀ 52.4±1.5

+0.4

Ａ

T-32

26.0

T-31 ꢀ 5.0±0.5

T-31

T-32

T-31

T-32

T-31

T-32

T-31

T-32

T-31

T-32

T-31

T-32

T-31

T-32

5.0±0.3

1.0 max.

1/2A±1.2

1/2A±0.4

±0.7

Ｆ

0.2 max.

6.0±0.5

5.0±0.5

1.5 max.

0.4 max.

|L1-L2|

＊H1(6mm)：BROWN

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak （t=100µs）

Junction temperature

I_FSM

150

℃

Storage temperature

-55 to +150

Tstg

(

*1) Mounted on epoxy board. 180°Half sine wave

zElectrical characteristic (Ta=25°C)

Parameter

Conditions

Symbol

V_F

Min.

0.4

Typ.

0.5

7.00

Max.

0.55

Unit

Forward voltage

I_F=1.0A

V_R=60V

C=100pF,R=1.5kΩ, forward and reverse : 1 times

I_R

Reverse current

µA

ESD break down voltage

ESD

Rev.A

1/3

12 3 4

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