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RB160A60

更新时间： 2024-02-04 09:40:50
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 整流二极管肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
4页 134K
描述
Schottky barrier diode

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RB160A60 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：O-XALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.83Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：O-XALF-W2JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：60 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

RB160A60 数据手册

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RB160A60  
Diodes  
Schottky barrier diode  
RB160A60  
zApplications  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
General rectification  
φ0.4±0.1  
zFeatures  
1) Cylindrical mold type. (MSR)  
2) High I surge capability.  
3) Low VF.  
2.7±0.3  
T-31 29±1  
T-31 29±1  
φ1.8±0.2  
4) High ESD.  
ROHM : MSR  
①
②
Manufacture Date  
zConstruction  
zTaping specifications (Unit : mm)  
Silicon epitaxial planar  
BROWN  
Symbol  
A
Standard dimension  
value(mm)  
H2  
BLUE  
E
T-31 ꢀ 52.4±1.5  
+0.4  
Ａ
T-32  
26.0  
0
B
T-31 ꢀ 5.0±0.5  
B
T-31  
T-31  
T-32  
T-31  
T-32  
T-31  
T-32  
T-31  
T-32  
T-31  
T-32  
T-31  
T-32  
T-31  
T-32  
5.0±0.3  
C
D
1.0 max.  
C
0
1/2A±1.2  
1/2A±0.4  
±0.7  
E
Ｆ
0.2 max.  
H1  
6.0±0.5  
5.0±0.5  
L2  
L1  
H2  
F
D
1.5 max.  
0.4 max.  
|L1-L2|  
H1  
＊H1(6mm)：BROWN  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Limits  
Symbol  
VRM  
VR  
Unit  
V
V
Reverse voltage (repetitive peak)  
Reverse voltage (DC)  
60  
60  
Average rectified forward current (*1)  
Forward current surge peak （t=100µs）  
Junction temperature  
1
60  
Io  
IFSM  
Tj  
A
A
150  
℃
℃
Storage temperature  
-55 to +150  
Tstg  
(
*1) Mounted on epoxy board. 180°Half sine wave  
zElectrical characteristic (Ta=25°C)  
Parameter  
Conditions  
Symbol  
VF  
Min.  
0.4  
-
Typ.  
0.5  
7.00  
-
Max.  
0.55  
50  
Unit  
Forward voltage  
V
IF=1.0A  
VR=60V  
C=100pF,R=1.5kΩ, forward and reverse : 1 times  
IR  
Reverse current  
µA  
kV  
ESD break down voltage  
20  
-
ESD  
Rev.A  
1/3  
1234

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