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RB160A40T-32

更新时间: 2024-11-02 19:44:15
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 113K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM),

RB160A40T-32 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.81配置:SINGLE
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.51 V
最大非重复峰值正向电流:50 A元件数量:1
最高工作温度:150 °C最大输出电流:1 A
最大重复峰值反向电压:40 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
Base Number Matches:1

RB160A40T-32 数据手册

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RB160A40  
Diodes  
Schottky barrier diode  
RB160A40  
zApplications  
z Dimensions (Unit : mm)  
General rectification  
CATHODEꢀBAND  
φ0.6±0.1  
29±1  
zFeatures  
1) Cylindrical mold type. (MSR)  
2) High I surge capability.  
3) Low IR.  
3.0±0.2  
29±1  
φ2.5±0.2  
4) High ESD.  
ROHM : MSR  
Manufacture Date  
zConstruction  
z Taping specifications (Unit : mm)  
Silicon epitaxial planar  
BROWN  
Standard dimension  
value(mm)  
A
H2  
Symbol  
BLUE  
E
T-31 ꢀ 52.4±1.5  
+0.4  
T-32  
26.0  
0
T-31 ꢀ 5.0±0.5  
B
B
T-31  
T-31  
T-32  
T-31  
T-32  
T-31  
T-32  
T-31  
T-32  
T-31  
T-32  
T-31  
T-32  
T-31  
T-32  
5.0±0.3  
C
D
1.0 max.  
C
0
1/2A±1.2  
1/2A±0.4  
±0.7  
E
0.2 max.  
H1  
6.0±0.5  
5.0±0.5  
L2  
L1  
H2  
F
D
1.5 max.  
0.4 max.  
|L1-L2|  
H1  
*H1(6mm):BROWN  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Limits  
40  
40  
Symbol  
VRM  
VR  
Unit  
V
Reverse voltage (repetitive peak)  
Reverse voltage (DC)  
V
Average rectified forward current (*1)  
Forward current surge peak t=100µs)  
Junction temperature  
1
50  
Io  
IFSM  
Tj  
A
A
150  
Storage temperature  
-55 to +150  
Tstg  
(*1) Mounted on epoxy board. 180°Half sine wave  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Conditions  
Symbol  
Min.  
0.36  
-
Typ.  
0.46  
4.00  
-
Max.  
Unit  
V
Forward voltage  
VF  
IR  
IF=1.0A  
VR=40V  
C=100pF,R=1.5kΩ, forward and reverse : 1 time  
0.51  
30  
-
Reverse current  
µA  
kV  
ESD break down voltage  
ESD  
20  
Rev.B  
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