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RB160A30_1

更新时间： 2024-11-02 03:37:55

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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4页	111K
描述
Schottky barrier diode

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RB160A30_1 数据手册

RB160A30

Diodes

Schottky barrier diode

RB160A30

zApplications

z Dimensions (Unit : mm)

General rectification

CATHODEꢀBAND

φ0.6±0.1

29±1

zFeatures

1) Cylindrical mold type. (MSR)

2) High I surge capability.

3) Low I_R.

3.0±0.2

29±1

φ2.5±0.2

ROHM : MSR

4) High ESD.

①

②

Manufacture Date

zConstruction

z Taping specifications (Unit : mm)

Silicon epitaxial planar

BROWN

Standard dimension

value(mm)

Symbol

Ａ

BLUE

T-31 ꢀ 52.4±1.5

+0.4

T-32

26.0

T-31 ꢀ 5.0±0.5

T-31

T-32

T-31

T-32

T-31

T-32

T-31

T-32

T-31

T-32

T-31

T-32

T-31

T-32

5.0±0.3

1.0 max.

1/2A±1.2

1/2A±0.4

±0.7

Ｆ

0.2 max.

6.0±0.5

5.0±0.5

1.5 max.

0.4 max.

|L1-L2|

＊H1(6mm)：BROWN

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

V_RM

V_R

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak （t=100µs）

Junction temperature

I_FSM

150

℃

Storage temperature

-55 to +150

Tstg

(*1)Mounted on epoxy board. 180°Half sine wave

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltagae

Reverse current

Conditions

Symbol

V_F

Min.

0.33

Typ.

0.43

9.00

Max.

0.48

Unit

I_F=1.0A

V_R=30V

I_R

µA

ESD break down voltage

ESD

C=100pF,R=1.5kΩ, forward and reverse : 1 time

Rev.B

1/3

12 3 4

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