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RB158

更新时间： 2024-09-29 14:54:23
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4页 40K
描述
Round Type

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RB158 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Not Recommended包装说明：O-PBCY-W4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.82
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
最小击穿电压：800 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：O-PBCY-W4
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：50 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：800 V子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

RB158 数据手册

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®
RB150 – RB1510  
1.5A SINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER  
WON-TOP ELECTRONICS  
Features  
Diffused Junction  
Low Forward Voltage Drop  
High Current Capability  
High Reliability  
High Surge Current Capability  
Ideal for Printed Circuit Boards  
Recognized File # E157705  
A
B
+ ~  
~
-
WOB  
Min  
Dim  
A
Max  
9.10  
5.50  
—
8.60  
5.00  
21.90  
19.00  
0.69  
4.60  
B
C
D
C
Mechanical Data  
D
—
Case: WOB, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
E
E
0.80  
5.60  
G
~
All Dimensions in mm  
Polarity: As Marked on Body  
Weight: 1.1 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Marking: Type Number  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
-
+
G
G
~
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol RB150 RB151 RB152 RB154 RB156 RB158 RB1510 Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
280  
1.5  
V
A
Average Rectified Output Current  
(Note 1)  
@TA = 25°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on  
Rated Load (JEDEC Method)  
IFSM  
50  
A
Forward Voltage per element  
@IF = 1.5A  
VFM  
IRM  
1.1  
V
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TA = 25°C  
@TA = 125°C  
5.0  
500  
µA  
I2t Rating for Fusing (t < 8.3ms)  
I2t  
10  
14  
A2s  
pF  
Typical Junction Capacitance per leg (Note 2)  
Typical Thermal Resistance per leg (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
CJ  
RθJA  
RθJL  
36  
11  
°C/W  
°C  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
Note: 1. Mounted on 5.5 x 5.5mm FR-4 PCB and measured at lead length 9.5mm from case.  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
© Won-Top Electronics Co., Ltd.  
Revision: September, 2012  
www.wontop.com  
1
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