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RB053L-30

更新时间： 2024-02-18 15:23:19

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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Schottky barrier diode

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RB053L-30 数据手册

RB053L-30

Diodes

Schottky barrier diode

RB053L-30

zExternal dimensions (Units : mm)

zApplications

High frequency rectification

For switching power supply

1.5±0.2

CATHODE MARK

zFeatures

1) Compact power mold type. (PMDS)

2) Ultra low V^F/ Low I^R.

3) V^RM=30V guaranteed.

+0.02

−0.1

0.1

2.0±

0.2

2.6±0.2

zConstruction

Silicon epitaxial planar

ROHM : PMDS

EIAJ : −

JEDEC : SOD-106

·····Date of manufacture EX. 1999.12→9, C

zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Peak reverse voltage

DC reverse voltage

3.0

Mean rectifying current

Peak forward surge current

FSM

(60Hz

)

125

°C

Junction temperature

Storage temperature

Tstg

−40~+125

TC Max. = 90°C when mounted on alumina PCBs.

zElectrical characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

Min.

−

Typ.

Max.

0.42

Unit

Conditions

Forward voltage

−

IF=3.0A

−

µA

=15V

=30V

Reverse current

−

200

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