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RB051L-40_1

更新时间： 2024-11-26 06:07:07

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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4页	139K
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Schottky barrier diode

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RB051L-40_1 数据手册

RB051L-40

Diodes

Schottky barrier diode

RB051L-40

zApplications

z Dimensions (Unit : mm)

z Land size figure (Unit : mm)

General rectification

2.0

2.6±0.2

zFeatures

1) Small power mold type. (PMDS)

2) Low I_R.

0.1±0.02

ꢀꢀꢀ 0.1

3) High reliability.

①

②

PMDS

2.0±0.2

1.5±0.2

zStructure

zConstruction

Silicon epitaxial planar

ROHM : PMDS

JEDEC : SOD-106

①

②

Manufacture Date

z Taping specifications (Unit : mm)

2.0±0.05

4.0±0.1

0.3

φ1.55±0.05

φ1.55

2.9±0.1

4.0±0.1

2.8MAX

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forwarfd current

I_FSM

Forward current surge peak （60Hz・1cyc）

Junction temperature

Storage temperature

125

-40 to +125

℃

Tstg

(*1) Mounted on epoxyboard. 180°Half sine wave

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Conditions

Symbol

V_F1

Min.

Typ.

Max.

Unit

I_F=1.0A

I_F=3.0A

0.35

0.45

Forward voltage

V_F2

I_R1

V_R=20V

V_R=15V

µA

Reverse current

I_R2

150

Rev.B

1/3

12 3 4

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