5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > R6020ANJTLL
R6020ANJTLL PDF预览

R6020ANJTLL

更新时间： 2024-11-11 20:11:03
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 149K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LPTL, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

R6020ANJTLL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：LPTL, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.63雪崩能效等级（Eas）：26.7 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.25 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

R6020ANJTLL 数据手册

 浏览型号R6020ANJTLL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号R6020ANJTLL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号R6020ANJTLL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号R6020ANJTLL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号R6020ANJTLL的Datasheet PDF文件第6页 
10V Drive Nch MOSFET  
R6020ANJ  
zStructure  
zDimensions (Unit : mm)  
Silicon N-channel MOSFET  
LPTS  
10.1  
4.5  
1.3  
zFeatures  
1) Low on-resistance.  
2) Fast switching speed.  
1.24  
3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±30V.  
4) Drive circuits can be simple.  
5) Parallel use is easy.  
0.4  
2.7  
2.54  
0.78  
5.08  
(1) Base (Gate)  
(1) (2) (3)  
(2) Collector (Drain)  
(3) Emitter (Source)  
zApplications  
Each lead has same dimensions  
Switching  
LPTL  
8.9  
4.8  
zPackaging specifications  
<LPTS>  
Package  
Taping  
TL  
Type  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
1000  
R6020ANJ  
(1) Base (Gate)  
(1) (2) (3)  
(2) Collector (Drain)  
(3) Emitter (Source)  
Each lead has same dimensions  
<LPTL>  
Package  
Taping  
TLL  
Type  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
1000  
R6020ANJ  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
zInner circuit  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Limits  
Symbol  
Unit  
V
600  
VDSS  
GSS  
30  
V
V
∗3  
∗1  
∗3  
∗1  
∗1  
Continuous  
Pulsed  
20  
I
D
A
Drain current  
80  
20  
I
DP  
A
Continuous  
Pulsed  
I
S
A
Source current  
(Body Diode)  
80  
I
SP  
AS  
AS  
A
(1)  
(1) Gate  
(2) Drain  
(2)  
(3)  
∗2  
∗2  
Avalanche Current  
Avalanche Energy  
10  
A
I
26.7  
E
mJ  
W
°C  
°C  
∗1 Body Diode  
(3) Source  
Total power dissipation (Tc=25°C)  
100  
P
D
Channel temperature  
150  
Tch  
Range of storage temperature  
−55 to +150  
Tstg  
∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%  
∗2 L 500µH, VDD=50V, R =25Ω, Starting, Tch=25°C  
G
∗3 Limited only by maximum temperature allowed  
zThermal resistance  
Parameter  
Symbol  
Limits  
1.25  
Unit  
Channel to case  
Rth(ch-c)  
°C/W  
www.rohm.com  
2009.06 - Rev.A  
1/5  
c
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
123456

中文翻译

下载PDF

与R6020ANJTLL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
R6020ANX ROHM

获取价格

 		Nch 600V 20A Power MOSFET
R6020ANX_12 ROHM

获取价格

 		Nch 600V 20A Power MOSFET
R6020ANZ ROHM

获取价格

 		10V Drive Nch MOSFET
R6020ANZC8 ROHM

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
R6020ENJ ROHM

获取价格

 		场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率
R6020ENX ROHM

获取价格
R6020ENZ ROHM

获取价格

 		R6xxxENx系列是重视易用性，以低噪声性能为特点的Super Junction MOS
R6020ENZ4 ROHM

获取价格

 		R6xxxENx系列是重视易用性，以低噪声性能为特点的Super Junction MOS
R6020FNX ROHM

获取价格

 		10V Drive Nch MOSFET
R6020JNJ ROHM

获取价格

 		R6020JNJ is a power MOSFET for switching applications.

与R6020ANJTLL相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证