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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-8 |
| 包装说明： | O-MUPM-X1 | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.77 |
| 其他特性： | EXCELLENT RELIABILITY | 应用： | SOFT RECOVERY POWER |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V | JEDEC-95代码： | DO-205AA |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-X1 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 2000 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 125 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 1000 V | 最大反向电流： | 200 µA |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R42100E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 125A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 |
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| R42100F | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 125A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 |
|
| R42100FE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 125A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 |
|
| R42100TS | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 125A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 |
|
| R4210E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 125A, 100V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 |
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| R4210F | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 125A, 100V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 |
|
| R4210TS | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 125A, 100V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 |
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| R42120 | MICROSEMI |
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Silicon Power Rectifier |
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| R42120E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 125A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 |
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| R42120F | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 125A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 |
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