R4008ANDTL

更新时间： 2024-10-29 13:12:51

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罗姆 - ROHM		驱动
页数	文件大小	规格书
6页	1984K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 400V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SC-63, 3/2 PIN

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R4008ANDTL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.73	雪崩能效等级（Eas）：	4.3 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	400 V
最大漏极电流 (ID)：	8 A	最大漏源导通电阻：	0.95 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Copper (Sn98Cu2)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

R4008ANDTL 数据手册

Data Sheet

10V Drive Nch MOSFET

R4008AND

 Structure

 Dimensions (Unit : mm)

Silicon N-channel MOSFET

CPT3

(SC-63)

<SOT-428>

6.5

5.1

2.3

0.5

Features

1) Low on-resistance.

2) High-speed switching.

3) Wide SOA.

0.75

0.9 2.3

(1) Gate

(2) Drain

(3) Source

0.65

2.3

(1)

(2)

(3)

0.5

1.0

4) Drive circuits can be simple.

5) Parallel use is easy.

 Application

Switching

 Packaging specifications

 Inner circuit

Package

Taping

Type

Code

∗1

Basic ordering unit (pieces)

2500



R4008AND

(1) Gate

(2) Drain

(3) Source

(1)

(2)

(3)

 Absolute maximum ratings (Ta = 25C)

Parameter Symbol

Drain-source voltage

1 BODY DIODE

Limits

400

30

8

Unit

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate-source voltage

Continuous

Pulsed

Drain current

32

48

I_DP

Continuous

Pulsed

I_S

Source current

(Body Diode)

I_SP

Avalanche current

Avalanche energy

Power dissipation

Channel temperature

I_AS

E_AS

P_D

4.3

150

T_ch

T_stg

C

Range of storage temperature

55 to 150

*1 Pw10s, Duty cycle1%

*2 Pw≤1s, Duty cycle≤1% Limited by Safe Operating Area.(V_DS≤30V)

*3 L 500H, V_DD=50V, R_G=25, T_ch=25C

*4 Limited only by maximum temperature allowed.

*5 T_C=25C

 Thermal resistance

Parameter

Channel to Case

Symbol

R_{th (ch-c)}

Limits

6.25

Unit

C / W

www.rohm.com

2011.10 - Rev.A

1/5

12 3 4 5 6

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与R4008ANDTL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
R400CH02	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2943 A, 200 V, SCR
R400CH02CGO	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2273.36 A, 200 V, SCR
R400CH02CHO	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2273.36A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element
R400CH02CJ0	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1870000mA I(T), 200V V(DRM)
R400CH02DG0	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1870000mA I(T), 200V V(DRM)
R400CH02DGO	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2273.36 A, 200 V, SCR
R400CH02DH0	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1870000mA I(T), 200V V(DRM)
R400CH02DK0	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1870000mA I(T), 200V V(DRM),
R400CH02EHO	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2273.36 A, 200 V, SCR
R400CH02EJ0	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1870000mA I(T), 200V V(DRM)

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