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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> R4000F-T
R4000F-T PDF预览

R4000F-T

更新时间： 2024-10-29 13:12:55
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 高压
页数 文件大小 规格书
2页 22K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 4000V V(RRM), Silicon, DO-15, PLASTIC PACKAGE-2

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R4000F-T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-15
包装说明：PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.61
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-15
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：265认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：4000 V最大反向恢复时间：0.5 µs
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

R4000F-T 数据手册

 浏览型号R4000F-T的Datasheet PDF文件第2页 
R2500  
THRU  
R5000  
RECTRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL SPECIFICATION  
HIGH VOLTAGE SILICON RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 2500 to 5000 Volts CURRENT 0.2 Ampere  
FEATURES  
* Low cost  
* Low leakage  
* Low forward voltage drop  
* High current capability  
DO-15  
MECHANICALDATA  
* Case: Molded plastic  
(
)
.034 0.9  
* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
DIA.  
(
)
.028 0.7  
(
)
1.0 25.4  
MIN.  
* Weight: 0.35 gram  
(
)
.300 7.6  
(
)
.230 5.8  
(
)
.140 3.6  
DIA.  
(
)
.104 2.6  
(
)
1.0 25.4  
MIN.  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
RATINGS  
SYMBOL  
R2500  
R3000  
R4000  
R5000  
UNITS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Volts  
V
V
RRM  
RMS  
2500  
1750  
2500  
3000  
2100  
3000  
4000  
2800  
4000  
5000  
3500  
5000  
Volts  
Volts  
Volts  
Maximum DC Blocking Voltage  
V
DC  
O
Maximum Average Forward Rectified Current  
I
200  
mAmps  
Amps  
at TA  
= 50oC  
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
30  
30  
Typical Junction Capacitance (Note)  
C
J
pF  
0 C  
Operating and Storage Temperature Range  
T
J
, TSTG  
-65 to + 175  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At TA  
= 25oC unless otherwise noted)  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
R2500  
3.0  
R3000  
4.0  
R4000  
R5000  
UNITS  
Volts  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 0.2A DC  
V
F
5.0  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@T  
@T  
A
A
= 25oC  
=100oC  
5.0  
50  
30  
uAmps  
uAmps  
I
R
Maximum Full Load Reverse Current Average, Full Cycle  
.375”, (9.5mm) lead length at T  
= 75oC  
NOTES : Measured at 1 MH and applied reverse voltage of 4.0 volts.  
L
Z
2001-6  
12

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与R4000F-T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
R4000G LGE

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 		暂无描述
R4000G RECTRON

获取价格

 		Reverse Voltage Vr : 4000 V;Forward Current Io : 0.2 A;Max Surge Current : 30 A;Forward Vo
R4000GPS MCC

获取价格

 		Tape : 5K/Reel, 20K/Ctn; Bulk: 1K/Box, 50K/Ctn; T/B: 5K/Ammo Box, 50K/Ctn.;
R4001F JFW

获取价格

 		SMA/DO-214AC High voltage rectifier
R4008AND ROHM

获取价格

 		10V Drive Nch MOSFET
R4008ANDTL ROHM

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 400V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
R400CH02 IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 2943 A, 200 V, SCR
R400CH02CGO IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 2273.36 A, 200 V, SCR
R400CH02CHO IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 2273.36A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element
R400CH02CJ0 IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 1870000mA I(T), 200V V(DRM)

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