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R3560PFE3

更新时间: 2024-10-01 05:11:15
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 软恢复二极管软恢复能力电源
页数 文件大小 规格书
3页 170K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 600V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN

R3560PFE3 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:DO-21, 1 PIN
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.6
其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT应用:SOFT RECOVERY POWER
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.1 VJEDEC-95代码:DO-208AA
JESD-30 代码:O-MUPF-P1最大非重复峰值正向电流:400 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:35 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:PRESS FIT最大重复峰值反向电压:600 V
最大反向电流:10 µA最大反向恢复时间:5 µs
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:UPPER

R3560PFE3 数据手册

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