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R3560PF

更新时间: 2024-11-14 22:24:47
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管软恢复能力电源软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
3页 175K
描述
Silicon Power Rectifier

R3560PF 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-21
包装说明:DO-21, 1 PIN针数:1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.74
其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT应用:SOFT RECOVERY POWER
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.1 VJEDEC-95代码:DO-208AA
JESD-30 代码:O-MUPF-P1JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:400 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:35 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:PRESS FIT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V最大反向电流:10 µA
最大反向恢复时间:5 µs表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:PIN/PEG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

R3560PF 数据手册

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R3560PF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
R5060PF MICROSEMI

功能相似

Silicon Power Rectifier
R5080PF MICROSEMI

功能相似

Silicon Power Rectifier
NTE5829 NTE

功能相似

Silicon Power Rectifier Diode, 50 Amp

与R3560PF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
R3560PFE3 MICROSEMI

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 600V V(RRM), Silicon, DO-208AA, DO-21, 1 PIN
R-3566D/R-3551D PANASONIC

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High CTI, High RTI Halogen-free multi-layer circuit board materials
R3570BMXXYYTRP INFINEON

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Switching Controller
R3580 MICROSEMI

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Silicon Power Rectifier
R35LD20G-TB5-T UTC

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Fixed Positive LDO Regulator, 3.5V, BIPolar, PZIP5,
R35LD20G-TF4-T UTC

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Fixed Positive LDO Regulator, 3.5V, BIPolar,
R35LD20G-TN3-R UTC

获取价格

Fixed Positive LDO Regulator
R35LD20G-TN3-T UTC

获取价格

Fixed Positive LDO Regulator
R35LD20L-TB5-T UTC

获取价格

Fixed Positive LDO Regulator, 3.5V, 0.5V Dropout, BIPolar, LEAD FREE, TO-220B, 5 PIN
R35LD20L-TF4-T UTC

获取价格

Fixed Positive LDO Regulator, 3.5V, 0.5V Dropout, BIPolar, LEAD FREE, TO-220F, 4 PIN