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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-CEDB-N2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.49 |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.34 V | JEDEC-95代码： | DO-200AB |
| JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 | 最大非重复峰值正向电流： | 19000 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最大输出电流： | 1470 A | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 400 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R34B6A | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1470A, 600V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
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| R34B6APBF | INFINEON |
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暂无描述 |
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| R34B8A | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1340A, 800V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
|
| R34B8B | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1260A, 800V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
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| R34BF10A | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 520A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
|
| R34BF10B | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 520A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
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| R34BF12A | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 520A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
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| R34BF12B | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 520A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
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| R34BF16A | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 480A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
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| R34BF16B | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 480A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
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