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R3370ZC10E

更新时间： 2024-11-27 20:08:11
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅栅极
页数 文件大小 规格书
15页 1232K
描述
Silicon Controlled Rectifier,

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R3370ZC10E 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.69
Base Number Matches：1

R3370ZC10E 数据手册

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Date:- 9th March, 2015  
Data Sheet Issue:- 3  
Distributed Gate Thyristor  
Type R3370ZC10# to R3370ZC12#  
Old Type No.: R1200CH10-12  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
1000-1200  
V
V
V
V
1000-1200  
1000-1200  
1100-1300  
MAXIMUM  
LIMITS  
3370  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AV)M  
IT(AV)M  
IT(AV)M  
Maximum mean on-state current, Tsink=55°C, (note 2)  
Maximum mean on-state current. Tsink=85°C, (note 2)  
Maximum mean on-state current. Tsink=85°C, (note 3)  
A
A
2145  
1179  
A
IT(RMS)M Nominal RMS on-state current, Tsink=25°C, (note 2)  
6850  
A
IT(d.c.)  
ITSM  
ITSM2  
I2t  
D.C. on-state current, Tsink=25°C, (note 4)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 5)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM£10V, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM£10V, (note 5)  
Maximum rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)  
Maximum rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)  
Peak reverse gate voltage  
5360  
A
43.9  
kA  
kA  
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
V
48.3  
9.64×106  
11.66×106  
1000  
I2t  
diT/dt  
1500  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
5
Mean forward gate power  
5
W
Peak forward gate power  
50  
W
THS  
Operating temperature range  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
Storage temperature range  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
6) VD=67% VDRM, IFG=2A, tr£0.5µs, Tcase=125°C.  
Data Sheet. Type R3370ZC10# to R3370ZC12# Issue 3  
Page 1 of 12  
March, 2015  
1234567...15

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与R3370ZC10E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
R3370ZD12C LITTELFUSE

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 		Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4
R3370ZD12D LITTELFUSE

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 		Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4
R3370ZD12E LITTELFUSE

获取价格

 		Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4
R-3391-0.5M CTS

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 		HCMOS/TTL Output Clock Oscillator, 0.5MHz Nom, ROHS COMPLIANT, RESISTANCE-WELDED, HERMETIC
R-3391-165.00M CTS

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 		Oscillator,
R-3391-165M CTS

获取价格

 		HCMOS/TTL Output Clock Oscillator, 165MHz Nom, ROHS COMPLIANT, RESISTANCE-WELDED, HERMETIC
R-3391-FREQ CTS

获取价格

 		HCMOS/TTL Output Clock Oscillator, 0.5MHz Min, 165MHz Max, ROHS COMPLIANT, RESISTANCE-WELD
R-3392-0.5M CTS

获取价格

 		HCMOS/TTL Output Clock Oscillator, 0.5MHz Nom, ROHS COMPLIANT, RESISTANCE-WELDED, HERMETIC
R-3392-165.00M CTS

获取价格

 		Oscillator,
R-3392-165M CTS

获取价格

 		HCMOS/TTL Output Clock Oscillator, 165MHz Nom, ROHS COMPLIANT, RESISTANCE-WELDED, HERMETIC

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