5秒后页面跳转
R325CH14CH6 PDF预览

R325CH14CH6

更新时间: 2024-11-20 03:54:31
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
5页 272K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 2398 A, 1400 V, SCR

R325CH14CH6 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.84其他特性:FAST
标称电路换相断开时间:30 µs配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:20 V/us最大直流栅极触发电流:300 mA
最大直流栅极触发电压:3 VJESD-30 代码:O-CEDB-N2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:2398 A重复峰值关态漏电流最大值:150000 µA
断态重复峰值电压:1400 V重复峰值反向电压:840 V
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:END触发设备类型:SCR

R325CH14CH6 数据手册

 浏览型号R325CH14CH6的Datasheet PDF文件第2页浏览型号R325CH14CH6的Datasheet PDF文件第3页浏览型号R325CH14CH6的Datasheet PDF文件第4页浏览型号R325CH14CH6的Datasheet PDF文件第5页 

与R325CH14CH6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
R325CH14CH7 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 2398 A, 1400 V, SCR
R325CH14CH8 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 2398A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1120V V(RRM), 1 Element
R325CH14CH9 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 2398 A, 1400 V, SCR
R325CH14CJ0 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 1520000mA I(T), 1400V V(DRM)
R325CH14CJ2 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 2398A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 280V V(RRM), 1 Element
R325CH14CJ3 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 2398 A, 1400 V, SCR
R325CH14CJ5 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 2398 A, 1400 V, SCR
R325CH14CJ6 IXYS

获取价格

暂无描述
R325CH14CJ7 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 2398 A, 1400 V, SCR
R325CH14CJ8 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 2398A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1120V V(RRM), 1 Element