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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-MUPM-H1 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.76 |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.13 V |
| JEDEC-95代码： | DO-205AB | JESD-30 代码： | O-MUPM-H1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 9000 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最大输出电流： | 350 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 400 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R23DG4B3 | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 335A, 400V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
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| R23DG4BF | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 335A, 400V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
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| R23DG6A | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 350A, 600V V(RRM), Silicon, DO-205AB, |
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| R23DG6A3 | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 350A, 600V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
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| R23DG6AF | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 350A, 600V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
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| R23DG6APBF | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 350A, 600V V(RRM), Silicon, DO-205AB, |
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| R23DG6B3 | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 335A, 600V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
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| R23DG6BF | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 335A, 600V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
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| R23DG8A3 | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 335A, 800V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
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| R23DG8AF | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 335A, 800V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
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