5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 300 mA | JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 1765 A | 断态重复峰值电压： | 1200 V |
| 重复峰值反向电压： | 1200 V | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R200CH12C2G2 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1765 A, 1200 V, SCR, TO-200AC |
|
| R200CH12C2G3 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1765A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 360V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
|
| R200CH12C2G5 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1765A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
|
| R200CH12C2G6 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1765A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 720V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
|
| R200CH12C2G8 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1765 A, 1200 V, SCR, TO-200AC |
|
| R200CH12C2G9 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1765A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1080V V(RRM), 1 Element, TO-200 |
|
| R200CH12C2GO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1381.6 A, 1200 V, SCR, TO-200AC |
|
| R200CH12C2H0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1080000mA I(T), 1200V V(DRM) |
|
| R200CH12C2H2 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1765 A, 1200 V, SCR, TO-200AC |
|
| R200CH12C2H5 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1765A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
