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R2000F PDF预览

R2000F

更新时间： 2024-09-23 22:24:51
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
2页 75K
描述
500 Milliamp High Voltage Fast Recovery Silicon Rectifier 1200 to 2000 Volts

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R2000F 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-41包装说明：DO-41, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.17外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：3 V
JEDEC-95代码：DO-41JESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：30 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：0.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：2000 V
最大反向恢复时间：0.5 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

R2000F 数据手册

 浏览型号R2000F的Datasheet PDF文件第2页 
R1200F  
THRU  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
21201 Itasca Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
R2000F  
500 Milliamp High  
Voltage Fast Recovery  
Silicon Rectifier  
Features  
·
·
·
·
·
·
Low Cost  
Low Leakage  
Low Forward Voltage Drop  
High Current Capability  
High Voltage  
1200 to 2000 Volts  
Fast Switching For Higher Efficiency  
DO-41  
Maximum Ratings  
·
·
Operating Temperature: -55°C to +150°C  
Storage Temperature: -55°C to +150°C  
MCC  
Catalog  
Number  
Device  
Marking  
Maximum  
Recurrent  
Peak Reverse  
Voltage  
Maximum Maximum  
D
RMS  
DC  
Voltage  
Blocking  
Voltage  
1200V  
1500V  
1800V  
2000V  
R1200F  
R1500F  
R1800F  
R2000F  
---  
---  
---  
---  
1200V  
1500V  
1800V  
2000V  
840V  
1050V  
1260V  
1400V  
A
Cathode  
Mark  
B
D
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
Average Forward  
Current  
IF(AV)  
500mA  
TA = 50°C  
C
Peak Forward Surge  
Current  
IFSM  
30A  
8.3ms, half sine  
Maximum  
DIMENSIONS  
Instantaneous  
Forward Voltage  
R1200F-R1800F  
R2000F  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
INCHES  
MIN  
.166  
.080  
.028  
MM  
MIN  
4.10  
2.00  
.70  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
.205  
.107  
.034  
---  
MAX  
5.20  
2.70  
.90  
NOTE  
VF  
IR  
2.4V  
3.0V  
IFM = 0.5A;  
TA = 50°C  
1.000  
25.40  
---  
5.0mA  
50mA  
TA = 25°C  
TA = 100°C  
Typical Junction  
Capacitance  
Maximum Reverse  
Recovery Time  
CJ  
Trr  
30pF  
Measured at  
1.0MHz, VR=4.0V  
500nS  
www.mccsemi.com  
12

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与R2000F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
R2000F-13 DIODES

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2
R2000F-B DIODES

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41, 2 PIN
R2000FG RECTRON

获取价格

 		Reverse Voltage Vr : 2000 V;Forward Current Io : 0.5 A;Max Surge Current : 20 A;Forward Vo
R2000FGP MCC

获取价格

 		Tape : 5K/Reel, 20K/Ctn; Bulk: 1K/Box, 50K/Ctn; T/B: 5K/Ammo Box, 50K/Ctn.;
R2000FH02 RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41
R2000FH02-1 RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41
R2000FH02-2 RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41
R2000FH02-3 RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41
R2000FH02-4 RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41
R2000FH02-5 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41

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