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R2000F

更新时间: 2024-11-11 22:24:51
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 二极管快恢复二极管高压高压快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
1页 31K
描述
HIGH VOLTAGE FAST RECOVERY DIODES

R2000F 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.75外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):2 V
JEDEC-95代码:DO-41JESD-30 代码:O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流:30 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-50 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大重复峰值反向电压:2000 V
最大反向恢复时间:0.5 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

R2000F 数据手册

  
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
R2000F– R5000F  
HIGH VOLTAGE FAST RECOVERY DIODES  
Maximum  
Forward  
Maximum Average  
Rectified Current  
@ Half-Wave  
Maximum  
Forward Peak  
Maximum  
Reverse  
Maximum  
Reverse  
Recovery  
Time  
Package  
Maximum  
Peak Reverse  
Voltage  
TYPE  
Dimensions  
Voltage  
Surge Current @  
8.3ms Superimposed  
Current @ PRV  
@ TA=25ºC  
@ TA=25ºC  
Resistive Load 60Hz  
PRV  
V PK  
I O @ T L  
I FM (Surge)  
A PK  
I
I FM  
V FM  
V PK  
R
Trr  
ns  
AAV  
ºC  
µAdc  
APK  
DO –41  
DO–15  
R2000F  
R3000F  
R4000F  
R5000F  
2000  
3000  
4000  
5000  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
30  
30  
30  
30  
50  
50  
50  
50  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
2.0  
500  
500  
500  
500  
4.0  
5.0  
5.0  
Trr  
I F = 0.5A, I R = 1.0A, I RR = 0.25A  
Trr Test Conditions: I F = 0.5A, I R = 1.0A, I RR = 0.25A  
.205(5.2)  
.166(4.2)  
1.0(25.4)  
MIN  
1.0(25.4)  
1.0(25.4)  
MIN  
.300(7.6)  
.230(5.8)  
1.0(25.4)  
MIN  
MIN  
.034(0.9)  
.028(0.7)  
DIA  
.034(0.9)  
DIA  
.107(2.7)  
.080(2.0)  
DIA  
.028(0.7)  
.140(3.6)  
.104(2.6)  
DIA  
DO – 41  
DO – 15  
30A–1/1  

R2000F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
EGP10G ONSEMI

功能相似

1.0A快速恢复整流器
UF4006 ONSEMI

功能相似

1.0A快速恢复整流器
UF4004 DIOTEC

功能相似

Ultrafast Switching Si-Rectifiers -Ultraschnelle Si-Gleichrichter

与R2000F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
R2000F-13 DIODES

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2
R2000F-B DIODES

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41, 2 PIN
R2000FG RECTRON

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Reverse Voltage Vr : 2000 V;Forward Current Io : 0.5 A;Max Surge Current : 20 A;Forward Vo
R2000FGP MCC

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Tape : 5K/Reel, 20K/Ctn; Bulk: 1K/Box, 50K/Ctn; T/B: 5K/Ammo Box, 50K/Ctn.;
R2000FH02 RECTRON

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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41
R2000FH02-1 RECTRON

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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41
R2000FH02-2 RECTRON

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41
R2000FH02-3 RECTRON

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41
R2000FH02-4 RECTRON

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41
R2000FH02-5 RECTRON

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41