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R2000F

更新时间： 2024-09-24 03:38:51

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描述
HIGH VOLTAGE FAST RECOVERY RECTIFIERS

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R2000F 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	DO-41
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.58
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	2000 V	最大反向恢复时间：	0.5 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

R2000F 数据手册

R1200F THRU R2500F

HIGH VOLTAGE FAST RECOVERY RECTIFIERS

VOLTAGE RANGE

1200 to 2500 Volts

CURRENT

500 & 200 m Ampere

FEATURES

* Low forward voltage drop

* High current capability

* High reliability

DO-41

.107(2.7)

.080(2.0)

DIA.

* High surge current capability

1.0(25.4)

MIN.

MECHANICAL DATA

* Case: Molded plastic

.205(5.2)

.166(4.2)

* Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant

* Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-202,

method 208 guranteed

* Polarity: Color band denotes cathode end

* Mounting position: Any

1.0(25.4)

MIN.

.034(.9)

Weight: 0.34 grams

.028(.7)

DIA.

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.

Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

R1200F R1500F R1600F R1800F R2000F R2500F UNITS

TYPE NUMBER

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

1200

840

1500

1050

1500

1600

1120

1600

1800

1260

1800

2000

1400

2000

2500

1750

2500

Maximum DC Blocking Voltage

1200

Maximum Average Forward Rectified Current

200

500

.375"(9.5mm) Lead Length at Ta=50 C

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC method)

Maximum Instantaneous Forward Voltage at 0.5A/0.2A D.C.

2.0

3.0

Maximum DC Reverse Current

Ta=25 C

5.0

at Rated DC Blocking Voltage

Ta=100 C

100

500

Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)

Typical Junction Capacitance (Note 2)

Operating and Storage Temperature Range TJ, TSTG

-65 +175

NOTES:

1. Reverse Recovery Time test condition: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A

2. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

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与R2000F相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
R2000F-13	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2
R2000F-B	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41, 2 PIN
R2000FG	RECTRON	获取价格	Reverse Voltage Vr : 2000 V;Forward Current Io : 0.5 A;Max Surge Current : 20 A;Forward Vo
R2000FGP	MCC	获取价格	Tape : 5K/Reel, 20K/Ctn; Bulk: 1K/Box, 50K/Ctn; T/B: 5K/Ammo Box, 50K/Ctn.;
R2000FH02	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41
R2000FH02-1	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41
R2000FH02-2	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41
R2000FH02-3	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41
R2000FH02-4	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41
R2000FH02-5	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-41

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