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R1LV3216ISD-5SI

更新时间： 2024-11-21 20:11:07

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	195K
描述
2M X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO52, 10.79 X 10.49 MM, 0.40 MM PITCH, MICRO, PLASTIC, TSOP2-52

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R1LV3216ISD-5SI 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	10.79 X 10.49 MM, 0.40 MM PITCH, MICRO, PLASTIC, TSOP2-52	针数：	52
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.77
最长访问时间：	70 ns	备用内存宽度：	8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G52	长度：	10.79 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	52	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.4 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	8.89 mm
Base Number Matches：	1

R1LV3216ISD-5SI 数据手册

Preliminary

R1LV3216R Series

32Mb Advanced LPSRAM (2M word x 16bit / 4M word x 8bit)

REJ03C0367-0001

Preliminary

Rev.0.01

2008.03.24

Description

The R1LV3216R Series is a family of low voltage 32-Mbit static RAMs organized as 2,097,152-word by

16-bit, fabricated by Renesas’s high-performance 0.15um CMOS and TFT technologies.

The R1LV3216R Series is suitable for memory applications where a simple interfacing, battery operating

and battery backup are the important design objectives.

The R1LV3216R Series is provided in 48-pin thin small outline package [TSOP (I): 12mm x 20mm with pin

pitch of 0.5mm] and 52-pin micro thin small outline package [µTSOP (II): 10.79mm x 10.49mm with pin pitch

of 0.4mm]. It gives the best solution for compaction of mounting area as well as flexibility of wiring pattern of

printed circuit boards.

Features

•

Single 2.7~3.6V power supply

Small stand-by current: 4 µA (3.0V, typical)

No clocks, No refresh

All inputs and outputs are TTL compatible.

Easy memory expansion by CS1#, CS2, LB# and UB#

Common Data I/O

Three-state outputs: OR-tie Capability

OE# prevents data contention on the I/O bus

Ordering Information

Type No.

Access time

55 ns^*1

70 ns

Package

R1LV3216RSA-5S%

R1LV3216RSA-7S%

R1LV3216RSD-5S%

R1LV3216RSD-7S%

12mm x 20mm 48-pin plastic TSOP (I)

(normal-bend type) (48P3R)

350 mil 52-pin plastic μ-TSOP (II)

(normal-bend type) (52PTG)

55 ns^*1

70 ns

Note1. 55ns parts can be supported under the condition of the input timing limitation toward SRAM on customer’s

system. Please contact our sales office in your region, in case of the inquiry for 55ns parts.

% - Temperature version; see table below

Temperature Range

0 ~ +70 °C

-40 ~ +85 °C

REJ03C0367-0001, Rev.0.01, 2008.03.24

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
R1LV3216R	RENESAS	获取价格	32Mb Advanced LPSRAM (2M word x 16bit / 4M word x 8bit)
R1LV3216R_15	RENESAS	获取价格	32Mb Advanced LPSRAM (2M word x 16bit / 4M word x 8bit)
R1LV3216RSA	RENESAS	获取价格	32Mb Advanced LPSRAM (2M word x 16bit / 4M word x 8bit)
R1LV3216RSA-5S	RENESAS	获取价格	32Mb Advanced LPSRAM (2M word x 16bit / 4M word x 8bit)
R1LV3216RSA-5SI	RENESAS	获取价格	2MX16 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48
R1LV3216RSA-5SR	RENESAS	获取价格	32Mb Advanced LPSRAM (2M word x 16bit / 4M word x 8bit)
R1LV3216RSA-7S	RENESAS	获取价格	32Mb Advanced LPSRAM (2M word x 16bit / 4M word x 8bit)
R1LV3216RSA-7SR	RENESAS	获取价格	32Mb Advanced LPSRAM (2M word x 16bit / 4M word x 8bit)
R1LV3216RSD	RENESAS	获取价格	32Mb Advanced LPSRAM (2M word x 16bit / 4M word x 8bit)
R1LV3216RSD-5S	RENESAS	获取价格	32Mb Advanced LPSRAM (2M word x 16bit / 4M word x 8bit)

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