是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.74 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 55 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
长度: | 20.95 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 2 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 512KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | TSOP32,.46 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.000003 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.025 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
R1LP0408CSC-5SI | RENESAS |
完全替代 |
Wide Temperature Range Version 4M SRAM (512-k |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
R1LP0408CSB-7LC | RENESAS |
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4M SRAM (512-kword 】 8-bit) | |
R1LP0408CSB-7LI | HITACHI |
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Wide Temperature Range Version 4 M SRAM (512- | |
R1LP0408CSB-7LI | RENESAS |
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Wide Temperature Range Version 4M SRAM (512-k | |
R1LP0408CSB-7LI#D0 | RENESAS |
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512K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-32 | |
R1LP0408CSC-5SC | RENESAS |
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4M SRAM (512-kword 】 8-bit) | |
R1LP0408CSC-5SI | RENESAS |
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Wide Temperature Range Version 4M SRAM (512-k | |
R1LP0408CSC-5SI | HITACHI |
获取价格 |
Wide Temperature Range Version 4 M SRAM (512- | |
R1LP0408CSC-7LC | RENESAS |
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4M SRAM (512-kword 】 8-bit) | |
R1LP0408CSC-7LI | HITACHI |
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Wide Temperature Range Version 4 M SRAM (512- | |
R1LP0408CSC-7LI | RENESAS |
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Wide Temperature Range Version 4M SRAM (512-k |