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R1700MC18G

更新时间： 2024-11-05 20:53:43
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅栅极
页数 文件大小 规格书
4页 190K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 2875000mA I(T), 1800V V(DRM),

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R1700MC18G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.16标称电路换相断开时间：35 µs
关态电压最小值的临界上升速率：200 V/us最大直流栅极触发电流：300 mA
最大直流栅极触发电压：3 V最大维持电流：1000 mA
最大漏电流：100 mA通态非重复峰值电流：22000 A
最大通态电流：2875000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C断态重复峰值电压：1800 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

R1700MC18G 数据手册

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Date:- 24 August, 2011  
Data Sheet Issue:- P1  
WESTCODE  
An IXYS Company  
Prospective Data  
Distributed Gate Thyristor  
Type R1700MC18x to R1700MC21x  
(Development Part Number: RX228MC18x-21x)  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
1800-2100  
1800-2100  
1800  
V
V
V
V
1900  
MAXIMUM  
LIMITS  
1700  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AV)M  
IT(AV)M  
IT(AV)M  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
Maximum average on-state current, Tsink=55°C, (note 2)  
Maximum average on-state current. Tsink=85°C, (note 2)  
Maximum average on-state current. Tsink=85°C, (note 3)  
Nominal RMS on-state current, Tsink=25°C, (note 2)  
D.C. on-state current, Tsink=25°C, (note 4)  
A
A
1150  
610  
A
3500  
2875  
20  
A
A
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm=60%VRRM, (note 5)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm≤10V, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm=60%VRRM, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm≤10V, (note 5)  
kA  
kA  
A2s  
A2s  
22  
ITSM2  
I2t  
I2t  
2.00×106  
2.42×106  
Non-repetitive  
1500  
1000  
(di/dt)cr Critical rate of rise of on-state current (note 6)  
Repetitive (50Hz, 60s)  
Continuous (50Hz)  
A/µs  
500  
5
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
Peak reverse gate voltage  
Mean forward gate power  
Peak forward gate power  
Operating temperature range  
Storage temperature range  
V
5
W
W
°C  
°C  
30  
Tj op  
-40 to +125  
-40 to +150  
Tstg  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
6) VD=67% VDRM, IFG=2A, tr≤0.5µs, Tcase=125°C.  
Prospective Data Sheet. Types R1700MC18x to R1700MC21x Issue P1  
Page 1 of 4  
August, 2011  
1234

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与R1700MC18G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
R1700MC18J LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 2875000mA I(T), 1800V V(DRM),
R1700MC18K LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 2875000mA I(T), 1800V V(DRM),
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R1700MC21K LITTELFUSE

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R1705 HAMAMATSU

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R1753-01 HAMAMATSU

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 		FLAME SENSOR

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