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R1700MC18F

更新时间： 2024-11-01 20:53:43

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力特 - LITTELFUSE		栅栅极
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4页	190K
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Silicon Controlled Rectifier, 2875000mA I(T), 1800V V(DRM),

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R1700MC18F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.16	标称电路换相断开时间：	30 µs
关态电压最小值的临界上升速率：	200 V/us	最大直流栅极触发电流：	300 mA
最大直流栅极触发电压：	3 V	最大维持电流：	1000 mA
最大漏电流：	100 mA	通态非重复峰值电流：	22000 A
最大通态电流：	2875000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	断态重复峰值电压：	1800 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

R1700MC18F 数据手册

Date:- 24 August, 2011

Data Sheet Issue:- P1

WESTCODE

An IXYS Company

Prospective Data

Distributed Gate Thyristor

Type R1700MC18x to R1700MC21x

(Development Part Number: RX228MC18x-21x)

Absolute Maximum Ratings

MAXIMUM

LIMITS

VOLTAGE RATINGS

UNITS

V_DRM

V_DSM

V_RRM

V_RSM

Repetitive peak off-state voltage, (note 1)

Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)

Repetitive peak reverse voltage, (note 1)

Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)

1800-2100

1800

1900

MAXIMUM

LIMITS

1700

OTHER RATINGS

UNITS

I_T(AV)M

I_T(RMS)

I_T(d.c.)

I_TSM

Maximum average on-state current, T_sink=55°C, (note 2)

Maximum average on-state current. T_sink=85°C, (note 2)

Maximum average on-state current. T_sink=85°C, (note 3)

Nominal RMS on-state current, T_sink=25°C, (note 2)

D.C. on-state current, T_sink=25°C, (note 4)

1150

610

3500

2875

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_rm=60%V_RRM, (note 5)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_rm≤10V, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_rm=60%V_RRM, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_rm≤10V, (note 5)

A²s

I_TSM2

I²t

2.00×10⁶

2.42×10⁶

Non-repetitive

1500

1000

(di/dt)_crCritical rate of rise of on-state current (note 6)

Repetitive (50Hz, 60s)

Continuous (50Hz)

A/µs

500

V_RGM

P_G(AV)

P_GM

Peak reverse gate voltage

Mean forward gate power

Peak forward gate power

Operating temperature range

Storage temperature range

°C

T_{j op}

-40 to +125

-40 to +150

T_stg

Notes:-

1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for T_jbelow 25°C.

2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

4) Double side cooled.

5) Half-sinewave, 125°C T_jinitial.

6) V_D=67% V_DRM, I_FG=2A, t_r≤0.5µs, T_case=125°C.

Prospective Data Sheet. Types R1700MC18x to R1700MC21x Issue P1

Page 1 of 4

August, 2011

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
R1700MC18G	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2875000mA I(T), 1800V V(DRM),
R1700MC18J	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2875000mA I(T), 1800V V(DRM),
R1700MC18K	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2875000mA I(T), 1800V V(DRM),
R1700MC21E	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2875000mA I(T), 2100V V(DRM),
R1700MC21F	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2875000mA I(T), 2100V V(DRM),
R1700MC21G	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2875000mA I(T), 2100V V(DRM),
R1700MC21H	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2875000mA I(T), 2100V V(DRM),
R1700MC21J	LITTELFUSE	获取价格	Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。这些器件的阻断电压最高可达4
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