是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | O-XBCY-W2 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.76 | Is Samacsys: | N |
最小击穿电压: | 18.9 V | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码: | O-XBCY-W2 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 15000 W |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 6 W |
最大重复峰值反向电压: | 17 V | 表面贴装: | NO |
技术: | AVALANCHE | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
R15KP17CATR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 17V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA | |
R15KP17CE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 17V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH | |
R15KP17CE3TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 17V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH | |
R15KP17CTR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 17V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA | |
R15KP17-PBF | DIGITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode | |
R15KP18 | NJSEMI |
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TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS | |
R15KP180 | NJSEMI |
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TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS | |
R15KP180A | NJSEMI |
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TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS | |
R15KP180AE3TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 180V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, R | |
R15KP180AHR | DIGITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode |