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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-XBCY-W2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.88 | 最小击穿电压： | 111 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-XBCY-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 15000 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 6 W |
| 最大重复峰值反向电压： | 100 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R15KP100AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, R |
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| R15KP100AE3TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, R |
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| R15KP100AHR | DIGITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode |
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| R15KP100ATR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, P |
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| R15KP100C | NJSEMI |
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TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS |
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| R15KP100CA | NJSEMI |
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TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS |
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| R15KP100CAE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, RO |
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| R15KP100CAE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, RO |
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| R15KP100CAHR | DIGITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode |
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| R15KP100CHR | DIGITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode |
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