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R1446NC12G

更新时间： 2024-02-07 04:25:48
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅栅极
页数 文件大小 规格书
12页 338K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1871000mA I(T), 1200V V(DRM),

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R1446NC12G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.18标称电路换相断开时间：35 µs
关态电压最小值的临界上升速率：200 V/us最大直流栅极触发电流：300 mA
最大直流栅极触发电压：3 V最大维持电流：1000 mA
最大漏电流：150 mA通态非重复峰值电流：21500 A
最大通态电流：1871000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C断态重复峰值电压：1200 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

R1446NC12G 数据手册

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Date:- 01 August 2012  
Data Sheet Issue:- 2  
Distributed Gate Thyristor  
Type R1446NC12x  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
1200  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
V
V
V
V
1200  
1200  
1300  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
MAXIMUM  
LIMITS  
1446  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
ITSM2  
I2t  
Mean on-state current, Tsink=55°C, (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 3)  
Nominal RMS on-state current, Tsink=25°C, (note 2)  
D.C. on-state current, Tsink=25°C, (note 4)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 5)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM≤10V, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM≤10V, (note 5)  
Maximum rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)  
Maximum rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)  
Peak reverse gate voltage  
A
A
942  
531  
A
2940  
1871  
19.5  
A
A
kA  
kA  
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
V
21.5  
1.9×106  
2.3×106  
1000  
1500  
5
I2t  
(di/dt)cr  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
VGD  
Mean forward gate power  
2
W
Peak forward gate power  
30  
W
Non-trigger gate voltage, (Note 7)  
0.25  
V
THS  
Operating temperature range  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
Storage temperature range  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
6) VD=67% VDRM, IFG=2A, tr≤0.5µs, Tcase=125°C.  
7) Rated VDRM  
.
Data Sheet. Type R1446NC12x Issue 2  
Page 1 of 12  
August 2012  
1234567...12

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与R1446NC12G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
R1446NS10E IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 2940A I(T)RMS, 1871000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1
R1446NS10F IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 2940A I(T)RMS, 1871000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1
R1446NS10G IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 2940A I(T)RMS, 1871000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1
R1446NS12E IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 2940A I(T)RMS, 1871000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1
R1446NS12F IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 2940A I(T)RMS, 1871000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1
R1446NS12G IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 2940A I(T)RMS, 1871000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1
R1448NC14H LITTELFUSE

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 		Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4
R1448NC14J LITTELFUSE

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 		Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4
R1448NC18H LITTELFUSE

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