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QSX1TR

更新时间： 2024-09-23 13:12:39
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM /
页数 文件大小 规格书
3页 69K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 6A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TSMT6, 6 PIN

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QSX1TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-95
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：13 weeks风险等级：5.73
最大集电极电流 (IC)：6 A集电极-发射极最大电压：12 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：270
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

QSX1TR 数据手册

 浏览型号QSX1TR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号QSX1TR的Datasheet PDF文件第3页 
QSX1  
Transistors  
General purpose amplification (15V, 6A)  
QSX1  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zApplication  
Low frequency amplifier  
2.8  
1.6  
zFeatures  
1) Collector current is large.  
2) Collector saturation voltage is low.  
VCE(sat)  
200mV  
at IC = 3A / IB = 60mA  
Each lead has same dimensions  
ROHM : TSMT6  
Abbreviated symbol : X01  
zEquivalent Circuit  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
15  
12  
6
Unit  
V
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
6pin 5pin  
4pin  
V
I
C
6
10  
A
A
Collector current  
∗1  
I
CP  
∗2  
∗3  
500  
1.25  
150  
−55 to +150  
mW  
W
°C  
°C  
Power dissipation  
PC  
1pin 2pin  
3pin  
Junction temperature  
Tj  
Range of storage temperature Tstg  
∗1 Single pulse, Pw=1ms  
∗2 Each Terminal Mounted on a Recommended  
t
∗3 Mounted on a 25mm  
×
25mm  
×
0.8mm Ceramic substrate  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min. Typ. Max. Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
BVCBO  
15  
12  
6
−
−
−
−
−
−
−
V
V
I
I
I
C
=10µA  
=1mA  
Collector-emitter breakdown voltage BVCEO  
C
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVEBO  
−
V
E
=10µA  
I
CBO  
EBO  
CE (sat)  
FE  
−
100  
100  
nA  
nA  
V
CB=15V  
Emitter cutoff current  
I
−
VEB=6V  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
−
80 200 mV  
I
C/I  
B
=3A/60mA  
=2V/500mA  
MHz VCE=2V, I  
= −500mA, f=100MHz∗  
pF CB=10V, I =0A, f=1MHz  
∗
h
270  
−
−
680  
−
−
VCE/IC  
f
T
250  
80  
E
Transition frequency  
Collector output capacitance  
∗ Pulsed  
Cob  
−
−
V
E
Rev.A  
1/2  
123

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