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QSD123

更新时间: 2024-09-27 22:25:11
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QT 晶体光电晶体管光电晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 163K
描述
PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR

QSD123 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.15
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min:30 V配置:SINGLE
最大暗电源:100 nA红外线范围:YES
JESD-609代码:e0标称光电流:4 mA
安装特点:THROUGH HOLE MOUNT功能数量:1
最高工作温度:100 °C最低工作温度:-40 °C
光电设备类型:PHOTO TRANSISTOR峰值波长:880 nm
最大功率耗散:0.1 W最长响应时间:0.000008 s
形状:ROUND尺寸:5 mm
子类别:Photo Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

QSD123 数据手册

 浏览型号QSD123的Datasheet PDF文件第2页 

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