QSD122

更新时间： 2024-02-10 07:19:51

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体光电晶体管光电晶体管 LTE
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描述
PLASTIC SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR

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QSD122 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.89
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	30 V	配置：	SINGLE
最大暗电源：	100 nA	红外线范围：	YES
JESD-609代码：	e0	标称光电流：	1 mA
安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT	功能数量：	1
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-40 °C
光电设备类型：	PHOTO TRANSISTOR	峰值波长：	880 nm
最大功率耗散：	0.1 W	最长响应时间：	0.000006 s
形状：	ROUND	尺寸：	5 mm
子类别：	Photo Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

QSD122 数据手册

PLASTIC SILICON INFRARED

PHOTOTRANSISTOR

QSD122 QSD123 QSD124

PACKAGE DIMENSIONS

0.195 (4.95)

REFERENCE

SURFACE

0.305 (7.75)

0.040 (1.02)

NOM

0.800 (20.3)

MIN

EMITTER

COLLECTOR

SCHEMATIC

0.500 (1.25)

0.100 (2.54) NOM

COLLECTOR

0.240 (6.10)

0.215 (5.45)

0.020 (0.51)

SQ. (2X)

NOTES:

EMITTER

1. Dimensions for all drawings are in inches (mm).

2. Tolerance of ± .010 (.25) on all non-nominal dimensions

unless otherwise specified.

DESCRIPTION

The QSD122/123/124 is a phototransistor encapsulated in an infrared transparent, black T-1 3/4 package.

FEATURES

• NPN Silicon Phototransistor

• Package Type: T-1 3/4

• Notched Emitter: QED12X/QED22X/QED23X

• Narrow Reception Angle: 24°C

• Daylight Filter

• Package Material and Color: Black Epoxy

• High Sensitivity

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

DS300361

7/20/01

1 OF 4

www.fairchildsemi.com

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