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QM30TB-24

更新时间: 2024-10-01 22:08:23
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体开关晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 78K
描述
MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

QM30TB-24 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-D17
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):30 A
配置:COMPLEX最小直流电流增益 (hFE):75
最大降落时间(tf):3000 nsJESD-30 代码:R-PUFM-D17
元件数量:6端子数量:17
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:3 V
Base Number Matches:1

QM30TB-24 数据手册

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MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES  
QM30TB-24  
MEDIUM POWER SWITCHING USE  
INSULATED TYPE  
QM30TB-24  
IC  
Collector current .......................... 30A  
VCEX Collector-emitter voltage ......... 1200V  
hFE DC current gain...............................75  
Insulated Type  
UL Recognized  
Yellow Card No. E80276 (N)  
File No. E80271  
APPLICATION  
DC motor controllers, CVCF, NC equipment, Welders  
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM  
Dimensions in mm  
127  
7.5 21 7.5 21 7.5 16.5  
2–φ5.5  
19  
28.5  
28.5  
21.5  
P
BuP  
EuP BvP EvP BwP EwP  
BuP  
BvP  
EvP  
BwP  
EwP  
P
EuP  
U
V
W
V
W
U
N
BuN  
EuN  
N
BvN  
EvN  
BwN  
EwN  
BuN EuN BvN EvN BwN EwN  
98  
110  
Tab#110, t=0.5 Tab#250, t=0.8  
LABEL  
Note: All Transistor Units are 3-Stage Darlingtons.  
Feb.1999  

QM30TB-24 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KE721203 POWEREX

功能相似

Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CEO, 6-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
6DI30A-120 FUJI

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QM30TB24B ETC

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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CEO | 30A I(C)
QM30TB-2H MITSUBISHI

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MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
QM30TB2HB ETC

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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CEO | 30A I(C)
QM30TB-2HB MITSUBISHI

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暂无描述
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