QM30HC-2H

更新时间： 2024-10-01 22:07:31

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三菱 - MITSUBISHI		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
5页	60K
描述
INDUCTION HEATER USE NON-INSULATED TYPE

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QM30HC-2H 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-D2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：	30 A	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	75	最大降落时间（tf）：	3000 ns
JESD-30 代码：	R-PUFM-D2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	310 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	2 V
Base Number Matches：	1

MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES

QM30HC-2H

INDUCTION HEATER USE

NON-INSULATED TYPE

QM30HC-2H

• IC

Collector current .......................... 30A

• VCEX Collector-emitter voltage ......... 1600V

• hFE DC current gain...............................75

• Non-Insulated Type

APPLICATION

Induction heater for cooking

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

φ4.5

C (Case)

0.8

LABEL

Feb.1999

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
QM30HQ24	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1.2KV V(BR)CEO \| 30A I(C)
QM30HQ-24	MITSUBISHI	获取价格	DRIVE USE FOR HIGH POWER TRANSISTOR INSULATED TYPE
QM30HY2H	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT POWER MODULE \| DARLINGTON \| 1KV V(BR)CEO \| 30A I(C)
QM30HY-2H	MITSUBISHI	获取价格	MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
QM30TB24	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT POWER MODULE \| 3-PH BRIDGE \| 1.2KV V(BR)CEO \| 30A I(C)
QM30TB-24	MITSUBISHI	获取价格	MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
QM30TB24B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT POWER MODULE \| 3-PH BRIDGE \| 1.2KV V(BR)CEO \| 30A I(C)
QM30TB-24B	MITSUBISHI	获取价格	MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
QM30TB2H	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT POWER MODULE \| 3-PH BRIDGE \| 1KV V(BR)CEO \| 30A I(C)
QM30TB-2H	MITSUBISHI	获取价格	MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE