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QM20HA-HB

更新时间: 2024-11-07 19:43:55
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 139K
描述
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, MODULE-3

QM20HA-HB 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-D3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.81其他特性:BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC):20 A配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):250JESD-30 代码:R-PUFM-D3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

QM20HA-HB 数据手册

  

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