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QH8MA3TCR

更新时间： 2025-07-18 19:10:47

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		栅栅极
页数	文件大小	规格书
20页	4241K
描述
漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):7A, 5.5A;最大导通阻抗Ron(mΩ):29 mOhm @ 7A, 10V;类型:N and P-Channel;栅极电荷Qg(nC):7.2nC @ 10V;栅源耐压Vgs(V):2.5V @ 1mA;最小工作温度(℃):0;最大工作温度(℃):150°C ;元器件封装:8-SMD;

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QH8MA3TCR 数据手册

QH8MA3

ꢀꢀ30V Nch+Pch Middle Power MOSFET

Datasheet

ꢀꢀ

lOutline

TSMT8

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

Tr1:Nch Tr2:Pch

30V -30V

Symbol

V_DSS

ꢀ

R_DS(on)(Max.)

29mΩ 48mΩ

±7.0A ±5.5A

2.5W

ꢀ

I_D

P_D

ꢀ

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

llFeatures

1) Low on - resistance.

llInner circuit

2) Small Surface Mount Package (TSMT8).

3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.

4) Halogen Free.

llPackaging specifications

Embossed

Tape

Packing

llApplication

Reel size (mm)

180

Switching

Tape width (mm)

Type

Basic ordering unit (pcs)

Taping code

3000

Marking

MA3

llAbsolute maximum ratings (T_a= 25°C) ,unless otherwise specified.

Value

Tr1:Nch Tr2:Pch

Parameter

Drain - Source voltage

Symbol

V_DSS

Unit

±7.0

±18

±20

1.8

-30

±5.5

±18

±20

1.1

I_D

Continuous drain current

Pulsed drain current

I_{D, pulse}

V_GSS

Gate - Source voltage

Avalanche energy, single pulse

Avalanche current

E_AS

I_AS

5.0

-4.0

P_D

2.5

1.5

total

P_D

Power dissipation

P_D

element

1.25

150

T_j

Junction temperature

℃

T_stg

Range of storage temperature

-55 to +150

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

www.rohm.com

ꢀ ꢀ

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20150730 - Rev.002

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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