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QD2115H-3

更新时间: 2024-01-19 21:17:05
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 130K
描述
Standard SRAM, 1KX1, 30ns, NMOS, CDIP16, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-16

QD2115H-3 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:16
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:30 nsJESD-30 代码:R-GDIP-T16
长度:19.558 mm内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:16字数:1024 words
字数代码:1000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:75 °C最低工作温度:
组织:1KX1输出特性:OPEN-COLLECTOR
可输出:NO封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:NMOS温度等级:COMMERCIAL EXTENDED
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

QD2115H-3 数据手册

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