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Q68000-A8394

更新时间： 2024-09-22 22:44:11

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管高压
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描述
NPN Silicon High Voltage Transistors

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Q68000-A8394 数据手册

NPN Silicon High Voltage Transistors

SXTA 42

SXTA 43

● High breakdown voltage

● Low collector-emitter saturation voltage

Package¹⁾

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

SXTA 42

SXTA 43

Q68000-A8394

Q68000-A8650

SOT-89

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

SXTA 42

300

SXTA 43

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CE0

200

VCB0

300

200

VEB0

500

Total power dissipation, T

= 130 ˚C

tot

Junction temperature

150

˚C

Storage temperature range

stg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient²⁾

th JA

th JS

≤ 75

≤ 20

K/W

Junction - soldering point

For detailed information see chapter Package Outlines.

Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm²Cu.

5.91

Semiconductor Group

12 3 4

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