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Q67100-Q1184

更新时间： 2024-01-10 12:38:31

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英飞凌 - INFINEON		/
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3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM

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Q67100-Q1184 数据手册

3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM

HYB3116405BJ/BT(L) -50/-60/-70

HYB3117405BJ/BT(L) -50/-60/-70

Advanced Information

• 4 194 304 words by 4-bit organization

• 0 to 70 °C operating temperature

• Performance

-50

-60

-70

RAS access time

RAC

CAC

CAS access time

Access time from address

Read/Write cycle time

104 124 ns

25 30 ns

Hyper page mode (EDO)

cycle time

HPC

• Single + 3.3 V (± 0.3V ) supply

• Low power dissipation

max. 396 active mW (HYB3117405BJ/BT-50)

max. 363 active mW (HYB3117405BJ/BT-60)

max. 330 active mW (HYB3117405BJ/BT-70)

max. 360 active mW (HYB3116405BJ/BT-50)

max. 324 active mW (HYB3116405BJ/BT-60)

max. 288 active mW (HYB3116405BJ/BT-70)

7.2 mW standby (LV-TTL)

3.6 mW standby (LV-CMOS)

720 µW standby for L-version

• Output unlatched at cycle end allows two-dimensional chip selection

• Read, write, read-modify-write, CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh, hidden refresh,

Self Refresh and test mode

• Hyper page mode (EDO) capability

• All inputs, outputs and clocks fully TTL-compatible

• 2048 refresh cycles / 32 ms for HYB3117405

4096 refresh cycles / 64 ms for HYB3116405

• Plastic Package:

P-SOJ-26/24-1 (300 mil)

P-TSOPII-26/24-1 (300mil)

Semiconductor Group

3.96

12 3 4 5 6 7...26

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