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Q67100-Q1152

更新时间： 2024-09-22 23:06:07

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英飞凌 - INFINEON		/
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描述
2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh

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Q67100-Q1152 数据手册

2M x 8 - Bit Dynamic RAM

2k Refresh

HYB3117805BSJ -50/-60/-70

(Hyper Page Mode- EDO)

Advanced Information

• 2 097 152 words by 8-bit organization

• 0 to 70 °C operating temperature

• Performance:

-50

-60

-70

RAS access time

RAC

CAC

CAS access time

Access time from address

Read/Write cycle time

104 124 ns

25 30 ns

Hyper page mode (EDO)

cycle time

HPC

• Single + 3.3 V (± 0.3 V) supply

• Low power dissipation

max. 432 mW active (-50 version)

max. 396 mW active (-60 version)

max. 360 mW active (-70 version)

7.2 mW standby (LV-TTL)

3.6 mW standby (CMOS)

• Read, write, read-modify-write, CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh, hidden refresh,

self refresh and test mode

• Hyper page mode (EDO) capability

• All inputs, outputs and clocks fully TTL-compatible

• 2048 refresh cycles / 32 ms (2k-Refresh)

• Plastic Package:

P-SOJ-28-3 400 mil

Semiconductor Group

1.96

12 3 4 5 6 7...25

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