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Q67100-Q1148

更新时间： 2024-01-14 09:07:16

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2M x 8-Bit Dynamic RAM

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Q67100-Q1148 数据手册

2M x 8-Bit Dynamic RAM

HYB3117800BSJ-50/-60/-70

Advanced Information

• 2 097 152 words by 8-bit organization

• 0 to 70 °C operating temperature

• Performance:

-50

-60

-70

RAS access time

RAC

CAC

CAS access time

Access time from address

Read/Write cycle time

Fast page mode cycle time

110 130 ns

40 45 ns

• Single + 3.3 V (± 0.3V) supply

• Low power dissipation

max. 432 active mW (-50 version)

max. 396 active mW (-60 version)

max. 360 active mW (-70 version)

7.2 mW standby (LV-TTL)

3.6 mW standby (CMOS)

• Output unlatched at cycle end allows two-dimensional chip selection

• Read, write, read-modify-write, CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh, hidden refresh,

self refresh and test mode

• Fast page mode capability

• All inputs, outputs and clocks fully LVTTL-compatible

• 2048 refresh cycles / 32 ms

• Plastic Package:

P-SOJ-28-3 400 mil

Semiconductor Group

1.96

12 3 4 5 6 7...26

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