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Q67100-Q1109

更新时间： 2024-01-21 09:15:38

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英飞凌 - INFINEON		/
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描述
1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh

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Q67100-Q1109 数据手册

1M x 16-Bit Dynamic RAM

1k & 4k Refresh

HYB5116165BSJ -50/-60/-70

HYB5118165BSJ -50/-60/-70

(Hyper Page Mode- EDO)

Advanced Information

• 1 048 576 words by 16-bit organization

• 0 to 70 °C operating temperature

• Performance:

-50

-60

-70

RAS access time

RAC

CAC

CAS access time

Access time from address

Read/Write cycle time

104 124 ns

25 30 ns

Hyper page mode (EDO)

cycle time

HPC

• Single + 5 V (± 10 %) supply

• Low power dissipation

max. 1100 active mW ( HYB5118165BSJ-50)

max. 990 active mW ( HYB5118165BSJ-60)

max. 880 active mW ( HYB5118165BSJ-70)

max. 550 active mW ( HYB5116165BSJ-50)

max. 495 active mW ( HYB5116165BSJ-60)

max. 440 active mW ( HYB5116165BSJ-70)

11 mW standby (TTL)

5.5. mW standby (MOS)

• Output unlatched at cycle end allows two-dimensional chip selection

• Read, write, read-modify-write, CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh, hidden refresh

and Self Refresh

• Hyper page mode (EDO) capability

• All inputs, outputs and clocks fully TTL-compatible

• 1024 refresh cycles / 16 ms for HYB5118165BSJ (1k-Refresh)

• 4096 refresh cycles / 64 ms for HYB5116165BSJ (4k-Refresh)

• Plastic Package:

P-SOJ-42-1 400 mil

Semiconductor Group

1.96

12 3 4 5 6 7...26

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