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Q67100-Q1094

更新时间： 2024-09-22 23:06:07

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2M x 8-Bit Dynamic RAM

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Q67100-Q1094 数据手册

2M x 8-Bit Dynamic RAM

HYB5117800BSJ-50/-60/-70

Advanced Information

• 2 097 152 words by 8-bit organization

• 0 to 70 °C operating temperature

• Performance::

-50

-60

-70

t_RAC

t_CAC

t_AA

RAS access time

CAS access time

Access time from address

Read/Write cycle time

Fast page mode cycle time

t_RC

110 130 ns

40 45 ns

t_PC

• Single + 5 V (± 10 %) supply

• Low power dissipation

max. 660 active mW (-50 version)

max. 605 active mW (-60 version)

max. 550 active mW (-70 version)

11 mW standby (TTL)

5.5. mW standby (CMOS)

• Output unlatched at cycle end allows two-dimensional chip selection

• Read, write, read-modify-write, CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh, hidden refresh,

self refresh and test mode

• Fast page mode capability

• All inputs, outputs and clocks fully TTL-compatible

• 2048 refresh cycles / 32 ms

• Plastic Package:

P-SOJ-28-3 400 mil

Semiconductor Group

1.96

12 3 4 5 6 7...26

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