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Q67100-Q1087

更新时间： 2024-02-26 00:38:49

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英飞凌 - INFINEON		/
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26页	140K
描述
4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh

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Q67100-Q1087 数据手册

4M × 4-Bit Dynamic RAM

2k & 4k Refresh

(Fast Page Mode)

HYB 5116400BJ-50/-60

HYB 5117400BJ-50/-60

HYB 3116400BJ/BT-50/-60

HYB 3117400BJ-50/-60

Advanced Information

• 4 194 304 words by 4-bit organization

• 0 to 70 °C operating temperature

• Fast Page Mode operation

• Performance:

-50 -60

t_RACRAS access time

50 60 ns

13 15 ns

25 30 ns

84 104 ns

35 40 ns

t_CACCAS access time

t_AAAccess time from address

t_RCRead/Write cycle time

t_PCFast page mode cycle time

• Power Dissipation, Refresh & Addressing:

HYB 5116400 HYB 3116400 HYB 5117400 HYB 3117400

-50 -60 -50 -60 -50 -60 -50 -60

Power Supply

Addressing

Refresh

5 V ± 10%

3.3 V ± 0.3 V

5 V ± 10%

3.3 V ± 0.3 V

12/10

11/11

4096 cycles / 64 ms

220 180

2048 cycles / 32 ms

385 288

Active

275

144

440

252 mW

TTL Standby

CMOS Standby

7.2

3.6

7.2

3.6

5.5

• Read, write, read-modify-write, CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh, hidden refresh

and test mode

• All inputs, outputs and clocks fully TTL (5 V versions) and LV-TTL (3.3 V version)-compatible

• Plastic Package: P-SOJ-26/24-1

300 mil

P-TSOPII-26/24-1 300 mil

Semiconductor Group

1998-10-01

12 3 4 5 6 7...26

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