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Q67100-Q1074

更新时间： 2024-01-04 07:53:36

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英飞凌 - INFINEON		/
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1M x 16-Bit Dynamic RAM

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Q67100-Q1074 数据手册

1M x 16-Bit Dynamic RAM

(1k-Refresh)

HYB5118160BSJ-50/-60/-70

Advanced Information

• 1 048 576 words by 16-bit organization

• 0 to 70 °C operating temperature

• Performance:

-50

-60

-70

RAS access time

RAC

CAC

CAS access time

Access time from address

Read/Write cycle time

Fast page mode cycle time

110 130 ns

40 45 ns

• Single + 5 V (± 10 %) supply

• Low power dissipation

max. 1100 active mW (-50 version)

max. 990 active mW (-60 version)

max. 880 active mW (-70 version)

11 mW standby (TTL)

5.5. mW standby (MOS)

• Output unlatched at cycle end allows two-dimensional chip selection

• Read, write, read-modify-write, CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh, hidden refresh,

self refresh

• Fast page mode capability

• 2 CAS / 1 WE

• All inputs, outputs and clocks fully TTL-compatible

• 1024 refresh cycles / 16 ms

• Plastic Package:

P-SOJ-42-1 400 mil

Semiconductor Group

1.96

12 3 4 5 6 7...24

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