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Q67100-Q1050

更新时间： 2024-02-09 11:29:16

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英飞凌 - INFINEON		/
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描述
4M x 4-Bit Dynamic RAM

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Q67100-Q1050 数据手册

4M x 4-Bit Dynamic RAM

HYB5116400BJ -50/-60/-70

HYB5116400BT -50/-60/-70

Advanced Information

• 4 194 304 words by 4-bit organization

• 0 to 70 °C operating temperature

• Performance:

-50

-60

-70

RAS access time

RAC

CAC

CAS access time

Access time from address

Read/Write cycle time

Fast page mode cycle time

110 130 ns

40 45 ns

• Single + 5 V (± 10 %) supply

• Low power dissipation

max. 550 active mW (-50 version)

max. 495 active mW (-60 version)

max. 440 active mW (-70 version)

11 mW standby (TTL)

5.5. mW standby (MOS)

• Output unlatched at cycle end allows two-dimensional chip selection

• Read, write, read-modify-write, CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh, hidden refresh,

self refresh and test mode

• Fast page mode capability

• All inputs, outputs and clocks fully TTL-compatible

• 4096 refresh cycles / 64 ms

• Plastic Package:

P-SOJ-26/24 300 mil

P TSOPII-26/24 300 mil

Semiconductor Group

1.96

12 3 4 5 6 7...26

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