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Q65111A5640

更新时间： 2024-09-24 01:24:35

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欧司朗 - OSRAM		/
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Nanostack Impuls - Laserdiode

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Q65111A5640 数据手册

2014-10-30

Nanostack Impuls - Laserdiode

Nanostack Pulsed Laser Diode

Version 1.0

SPL DS90_3

Features:

Besondere Merkmale:

•

Reliable strained InGaAs/GaAs material

•

Zuverlässiges InGaAs/GaAs kompressiv

verspanntes Halbleiter-Material

High power large-optical-cavity structure

Hochleistungslaser mit „Large-Optical-Cavity“

(LOC) Struktur für ein schmales Fernfeld

Nanostack Lasertechnologie beinhaltet mehrere

epitaktisch integrierte Emitter

Nanostack laser technology including multiple

epitaxially stacked emitters

Laser aperture 200 µm × 10 µm

Laterale Austrittsöffnung 200 µm × 10 µm

Applications

Anwendungen

•

Range finding

•

Entfernungsmessung

Sicherheit, Überwachung

Beleuchtung, Zündung

Test- und Messsysteme

Security, surveillance

Illumination, ignition

Testing and measuring applications

Notes

Hinweise

Depending on the mode of operation, these devices

emit highly concentrated non visible infrared light

which can be hazardous to the human eye. Products

which incorporate these devices have to follow the

safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC

62471.

Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile

hochkonzentrierte, nicht sichtbare

Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das

menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese

Bauteile enthalten, müssen gemäß den

Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und

62471 behandelt werden.

2014-10-30

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