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Q65111A5310

更新时间： 2022-02-26 14:25:54

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欧司朗 - OSRAM		/
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描述
High Power Infrared Emitter (850 nm)

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Q65111A5310 数据手册

2014-10-28

High Power Infrared Emitter (850 nm)

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung

Version 1.0

SFH 4059SR

Features:

Besondere Merkmale:

•

High optical power

•

Sehr hohe Gesamtleistung

2- fach Stack Emitter

Double Stack emitter

Very small package: (LxWxH) 3.2 mm x 1.6 mm x

Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 3.2 mm x 1.6 mm x

1.85 mm

Reverse mount

•

"Reverse mount"

Applications

Anwendungen

•

Miniature photointerrupters

Industrial electronics

•

Miniaturlichtschranken

Industrieelektronik

For control and drive circuits

Mobile devices

„Messen/Steuern/Regeln”

Mobile Geräte

Notes

Hinweise

Depending on the mode of operation, these devices

emit highly concentrated non visible infrared light

which can be hazardous to the human eye. Products

which incorporate these devices have to follow the

safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC

62471.

Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile

hochkonzentrierte, nicht sichtbare

Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das

menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese

Bauteile enthalten, müssen gemäß den

Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und

62471 behandelt werden.

2014-10-28

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