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Q65111A3235

更新时间： 2024-01-06 05:25:30

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欧司朗 - OSRAM		/
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描述
High Power Infrared Emitter (850 nm)

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Q65111A3235 数据手册

2014-01-08

High Power Infrared Emitter (850 nm)

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung

Version 1.4 acc. to OS-PCN-2013-003-A1

SFH 4232A

Features:

Besondere Merkmale:

•

IR lightsource with high efficiency

•

IR Lichtquelle mit hohem Wirkunsgrad

Niedriger Wärmewiderstand (Max. 10 K/W)

Schwerpunktwellenlänge 850 nm

ESD sicher bis 2 kV nach ANSI/ESDA/JEDEC

JS-001-2011; Klasse 2

Erweiterte Korrosionsfestigkeit (s.a. Abschnitt

Maßzeichnung)

Low thermal resistance (Max. 10 K/W)

Centroid wavelength 850 nm

ESD safe up to 2 kV acc. to ANSI/ESDA/JEDEC

JS-001-2011; Class 2

•

Superior Corrosion Robustness (see chapter

package outlines)

•

Package: SMT package

Gehäuse: SMT-Bauform

Applications

Anwendungen

•

Infrared Illumination for cameras

Surveillance systems

•

Infrarotbeleuchtung für Kameras

Überwachungssysteme

Maschine vision systems

Beleuchtung für Bilderkennungssysteme

Notes

Hinweise

Depending on the mode of operation, these devices

emit highly concentrated non visible infrared light

which can be hazardous to the human eye. Products

which incorporate these devices have to follow the

safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC

62471.

Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile

hochkonzentrierte, nicht sichtbare

Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das

menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese

Bauteile enthalten, müssen gemäß den

Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und

62471 behandelt werden.

2014-01-08

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