生命周期: | Active | 包装说明: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, LCC-2 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.64 |
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min: | 35 V | 配置: | SINGLE |
最大暗电源: | 50 nA | 红外线范围: | YES |
标称光电流: | 0.016 mA | 功能数量: | 1 |
最高工作温度: | 100 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
光电设备类型: | PHOTO TRANSISTOR | 峰值波长: | 980 nm |
形状: | ROUND | 尺寸: | 2.4 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
Q65110A2487 | OSRAM |
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NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®- | |
Q65110A2488 | OSRAM |
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NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®- | |
Q65110A2490 | OSRAM |
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NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®- | |
Q65110A2491 | OSRAM |
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NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®- | |
Q65110A2517 | OSRAM |
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GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package | |
Q65110A2523 | OSRAM |
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Rote Lumineszenzdiode | |
Q65110A2631 | OSRAM |
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GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR® | |
Q65110A2632 | OSRAM |
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GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR® | |
Q65110A2663 | OSRAM |
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NPN-Silizium-Fototransistor im MIDLED-Gehäus | |
Q65110A2664 | OSRAM |
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NPN-Silizium-Fototransistor im MIDLED-Gehäus |